Ultimele review-uri, stiri si noutati despre laptop-uri ,notebook-uri

beta

BlogspotFeed facebooktwitterdelicious
  Prima pagina » Noutati » Intel și Micron introduc procesul tehnologic de 20 nm pentru memoriile flash NAND

Intel și Micron introduc procesul tehnologic de 20 nm pentru memoriile flash NAND

15 aprilie 2011
Intel și Micron au anunțat introducerea unui nou proces tehnologic de fabricare a memoriilor flash NAND. Procesul de 20 nm s-a implementat pentru producerea unui dispozitiv flash NAND de 8 GB.
Intel și Micron introduc procesul tehnologic de 20 nm pentru memoriile flash NAND

Noile dispozitive sunt destinate tabletelor, SSD-urilor, smartphone-urilor și altor dispozitive mobile.

Noile sisteme multimedia apărute au adus la crearea acestor memorii flash NAND de 8 GB, fabricate cu noua tehnologie de 20 nm, ce au o suprafață de 118 mm2 și reduc spațiul necesar cu 30-40% comparativ cu dispozitvele actuale concepute pe platforma de 25 nm. Această reducere a spațiului ocupat permite producătorilor de sisteme de calcul să introducă ecrane mai mari, baterii cu o autonomie extinsă, sau alte componente hardware.

Noul dispozitiv este așteptat să intre pe piața IT în a doua jumătate a anului 2011. De asemenea, Intel și Micron intenționează să dezvăluie, în aceeași perioadă, un dispozitiv de 16 GB, ce va permite o capacitate de stocare de 128 GB, într-un singur modul de SSD, ce va fi mai mic decât un timbru U.S.

Proces de 20 nm pentru memoriile flash NAND